Esto es lo que sé sobre NPN BJT (Transistores de unión bipolar): La corriente del emisor base se amplifica HFE veces en Collector-Emitter, de modo que Ice = Ibe * HFE Vbees el voltaje entre el emisor base y, como cualquier diodo, generalmente es de alrededor de 0,65V. Sin Vecembargo, no recuerdo...
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¿Cómo funcionan los transistores BJT en estado saturado?
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