¿Qué resistencia para la base de transistor NPN?

¿Cuál es la forma de elegir una resistencia para una base de transistor NPN?

Quiero usar P2N2222A como un interruptor, en un diseño como se muestra a continuación. Cuando tengo voltaje en la base (1.8 V), quiero que se cree una conexión entre NODE1 y tierra.

^{simular este circuito : esquema creado con CircuitLab}

Si desea conducir hasta 150 mA de corriente entre el nodo 1 y tierra y solo dejar caer 1.0V (no es un interruptor perfecto), entonces deberá asumir que la ganancia de corriente es típicamente 50. Si desea un voltaje de saturación más bajo, entonces el las hojas de especificaciones dicen alimentar la base con 15 mA, es decir, la ganancia de corriente se ha reducido a solo 10 pero la saturación solo será de 0.3V.

Entonces, suponiendo que esté satisfecho con 150mA mientras satura el transistor a aproximadamente 1V, necesita empujar en la base.$\dfrac{150mA}{50} = 3mA$

El voltaje base necesitará aproximadamente 0.7V, por lo que el resto (1.8V - 0.7V) debe estar a través de la resistencia R1. La ley de Ohms nos dice que R = .$\dfrac{1.1V}{3mA} = 366.7\Omega$

Así que elija quizás una resistencia de 360 ​​ohmios.

Si esto no es lo suficientemente bueno para sus necesidades, busque un MOSFET de canal N con bajo , algo así como 1V o menos.$V_{GS(threshold)}$

Actual

Hay una regla general que establece que la resistencia base es tal que la corriente base es un buen múltiplo (5, 10?) De la corriente base mínima necesaria para saturar el BJT; puede obtener esto de las hojas de datos.

voltaje

Necesita saber , pero eso también está en las hojas de datos. Probablemente sea seguro asumir 0.7 V para la mayoría de los BJT NPN de señal pequeña.$V_{BE(sat)}$

Resistencia

Una vez que sepa el voltaje a través de la resistencia y la corriente a través de ella, la ley de Ohms le dirá la respuesta.