¿Por qué JFET se llama dispositivo controlado por voltaje mientras que BJT se llama dispositivo controlado por corriente?

Mi pregunta es por qué JFET / FET se llama dispositivo controlado por voltaje, mientras que BJT se llama controlado por corriente ya que ambos requieren voltaje para funcionar correctamente. En ambos campos eléctricos se produce, ¿por qué es la diferencia? Ahora la pregunta es que la corriente también se genera debido al Voltaje y aún BJT está controlado por la corriente y el voltaje FET controlado.

¿Algunas ideas?

La afirmación es incorrecta. Ambos dispositivos están controlados por voltaje. El modelo exacto para un transistor bipolar es la ecuación de Ebers-Moll .

Observe cómo la variable independiente en la ecuación de Ebers-Moll es: $V_{BE}$. No base actual!

Un BJT es un dispositivo de transconductancia, al igual que un JFET.

La idea de que un BJT amplifica la corriente es una característica del modelo aproximado que se puede utilizar para diseñar la mayoría de los circuitos BJT simples.

Una simplificación / idealización particular del BJT es un dispositivo actual, no el BJT real. Simplemente no funciona de esa manera. Simplemente no hay un pequeño demonio en la base que cuenta los electrones que se mueven a través de la base y dispensa$\beta$ veces que tantos electrones en el colector.

Debido a que el voltaje del emisor base de un BJT en su región operativa se verá afectado por la corriente del emisor base, y viceversa, los cambios en el voltaje del emisor base de un transistor dado afectarán la corriente del colector-emisor. Por otro lado, la cantidad de cambio de voltaje de emisor base requerida para afectar un cambio de corriente de colector-emisor dado es a menudo enorme e impredecible; variará enormemente con la temperatura, el envejecimiento, la fase de la luna, etc. Por el contrario, dentro de la región operativa "lineal" de un transistor, duplicar la corriente del emisor base duplicará aproximadamente la corriente del colector-emisor. No es exactamente el doble, pero muy cerca. Tal comportamiento es mucho más predecible que la relación entre el voltaje del emisor base y la corriente del colector base.

Un FET o MOSFET, por el contrario, no tiene ninguna corriente de puerta, excepto las corrientes resultantes de fugas o capacitancia parásita. Esas corrientes no son exactamente cero, pero los fabricantes generalmente tratan de minimizarlas. Como tal, no es realmente posible caracterizar la respuesta del transistor a diferentes niveles de corriente de puerta. La relación entre el voltaje de la fuente de la compuerta y la corriente de la fuente de drenaje no es tan predecible como la relación entre la corriente del emisor base y la corriente del colector-emisor en un BJT, pero sigue siendo apta para ser la forma más predecible de caracterizar La operación del dispositivo (es mucho más predecible y consistente que la relación comparable en un BJT).

En los BJT, la corriente del emisor es proporcional a la corriente base (este es el hFEvalor del BJT), mientras que en los FET la corriente de fuente / drenaje es proporcional al voltaje de la puerta . Lo que esto significa en la práctica es que si tiene una fuente de voltaje puede generar muy poca corriente (como su dedo, después de arrastrar los pies por una habitación alfombrada para generar electricidad estática), puede usar esta señal para controlar el FET, pero no un BJT.

En palabras muy simples y sin matemáticas involucradas:

Los FET en general, la corriente de drenaje de fuente se controla con muy poca corriente desde la puerta.

Los BJT requieren más corriente, debido a cómo funciona, la corriente del colector-emisor es proporcional a la corriente de la base.

Ambos usan tensión y corriente, pero la impedancia de FET es tan alta, y la corriente que necesitan controlar es tan baja, que solo necesitas una tensión sobre la puerta para hacer el control. Es por eso que los FET se consideran dispositivos controlados por tensión.