No es tanto que NAND no sea confiable (aunque es menos confiable), es el hecho de que son diferentes tipos de memoria en la forma en que se accede y las diferencias en la velocidad de lectura / escritura; Por lo tanto, son útiles para diferentes aplicaciones.
La principal ventaja de NOR es que es un acceso aleatorio, lo que hace posible usarlo para ejecutar código. Tiene una dirección completa y un bus de datos, por lo que puede direccionar cualquier ubicación y leer / escribir de inmediato (la escritura supone que la dirección está vacía, por supuesto).
Puede leer / escribir NAND configurando la dirección a través de su pequeña interfaz de E / S y luego leyendo o escribiendo datos con la dirección que se incrementa automáticamente con cada lectura o escritura. Esto lo hace bueno para escribir o leer flujos de datos o archivos. La velocidad de escritura para NAND es más rápida que NOR. Cuando escribe imágenes en una cámara, por ejemplo, esa velocidad de escritura rápida es especialmente útil. La mayor densidad de NAND es, por supuesto, mejor para aplicaciones como el almacenamiento de datos.
Editar: después de la pregunta de Marcus.
Hay una razón para este acceso debido a la forma en que los MOSFET están físicamente organizados en el CI. Para tomar prestado un poco de Wikipedia:
En flash NOR, cada celda tiene un extremo conectado directamente a tierra, y el otro extremo conectado directamente a una línea de bits. Este arreglo se llama "flash NOR" porque actúa como una puerta NOR.
El hecho de que cada celda tenga un extremo conectado a una línea de bits significa que se puede acceder a ellas (y, por lo tanto, a cada bit) al azar.
El flash NAND también usa transistores de puerta flotante, pero están conectados de una manera que se asemeja a una puerta NAND: varios transistores están conectados en serie, y la línea de bits se baja solo si todas las líneas de palabras se ponen altas (por encima de los transistores). VERMONT).
Esto significa que se debe acceder a cada bit de la palabra al mismo tiempo.
El diseño de la memoria de celda NOR permite que los bits se programen (se escriban en "0") de forma independiente, en cualquier orden y sin riesgo de perturbar otros bits. Algunos arreglos de memoria basados en celdas NOR usan fragmentos de memoria con corrección de errores que deben escribirse en fragmentos de cierto tamaño (por ejemplo, 32 bits) en lugar de un bit o incluso un byte a la vez, pero eso aún hace que sea práctico escribir muchos pequeños piezas de datos de forma independiente en el mismo bloque sin tener que reubicar los datos y borrar el bloque anterior.
Por el contrario, muchos dispositivos flash NAND requieren que cada página de datos se escriba utilizando como máximo dos operaciones discretas, antes de que se deba borrar toda la página. Si uno desea agregar datos repetidamente a la misma página, cada operación de este tipo requeriría un ciclo de copia y borrado de la página (tal vez uno podría optimizar las cosas para usar solo una copia y borrar después de cada ciclo, pero cuando usa NOR flash uno puede manejar 1,000 pequeños actualizaciones para cada ciclo de copia / borrado).
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