¿Cuál es la diferencia entre conducir una puerta MOSFET y una puerta IGBT?

¿Puedo usar un controlador de puerta IGBT adecuado para conducir el MOSFET y viceversa? ¿Qué parámetros (umbral, meseta y voltajes de encendido, capacitancia de puerta, etc.) deben ser los mismos para esta compatibilidad? ¿Cuáles son las diferencias esenciales entre conducir estos dos tipos diferentes de puertas?

A veces...

Asumiendo que el punto de interés es MOSFETS de potencia y MOSFETS de señal no pequeña y silicio (en oposición a SiC, GaN)

La primera característica a verificar es el voltaje de salida. Para los dispositivos de alimentación, deben ser de 0V a 12-15V (acpl-312T) para atender los umbrales de la puerta alrededor de 4V (así como también poder conducir a -15V si el encendido del molinero es una preocupación). Como tal, un controlador MOSFET que conduce un IGBT e igualmente un controlador IGBT que conduce un MOSFET deberían estar bien.

La siguiente característica es el pico de corriente. Los IGBT tendrán una capacidad de compuerta significativamente mayor y, como tal, requerirán corrientes de pico más altas para garantizar que el dispositivo se sature lo más rápido posible. Lo contrario de esto es que los MOSFET se pueden cambiar más rápido y, como tal, la demanda actual de rms para conducir un MOSFET podría ser mayor.

Una corriente de conmutación más alta o más alta afecta la capacidad de potencia del controlador.

controlador de puerta IGBT adecuado

Y la clave de su pregunta es "adecuada".

La respuesta corta es sí, puedes.

El IGBT combina un FET de puerta aislada para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar como interruptor en un solo dispositivo (wikipedia).

Su pregunta ya contiene las consideraciones apropiadas, "umbral, meseta y encendido de clasificaciones de voltaje, capacitancia de compuerta, etc."

Tenga en cuenta que algunos controladores IGBT también incluyen un voltaje de apagado negativo (para una conmutación más rápida)

Lo siguiente, tomado de International Rectifier

Inherentemente, ni el MOSFET ni el IGBT requieren un sesgo negativo en la puerta. Establecer el voltaje de la puerta a cero en el apagado asegura un funcionamiento adecuado y prácticamente proporciona un sesgo negativo en relación con el voltaje umbral del dispositivo. La polarización negativa de la puerta no afecta significativamente la velocidad de conmutación en comparación con el transistor bipolar. Sin embargo, hay circunstancias en las que es necesaria una unidad de puerta negativa:

• El fabricante de semiconductores especifica el sesgo de puerta negativo para el dispositivo.
• Cuando el voltaje de la puerta no se puede mantener de manera segura por debajo del umbral de voltaje debido al ruido generado en el circuito. Aunque se hará referencia a los IGBT, la información contenida es igualmente aplicable a los MOSFET de potencia.