Operación pulsada GaN

¿Alguien tiene experiencia en polarizar y pulsar un GaN HEMT de microondas? Acabo de pedir un transistor de banda S de 10 vatios. Sé todo sobre la secuencia de sesgos. Esta aplicación es pulsada. He leído sobre pulsar el desagüe con un interruptor lateral alto, así como pulsar pellizcando la puerta (Microsemi, Triquint, etc. documentos y defensas de doctorado).

¿Alguien ha intentado cualquiera de los enfoques? En orden de importancia: (1) tiempo de subida / bajada, (2) eficiencia. Me preocupan los efectos indocumentados de algo más que resistencia en serie con pulsación de drenaje.

Me gustaría experiencias del mundo real.

mosfet amplifier mosfet-driver microwave johnnymopo
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Estoy ayudando a admitir un generador de microondas de fabricación alemana. El controlador FET es un tipo de modo de agotamiento y el sesgo negativo se impulsa desde un chip convertidor de voltios de tapa del mismo riel. dos veces su clasificación continua. No hagas lo que hicieron.

Autista

Mi proyecto de graduación fue el diseño de mezclador armónicamente bombeado en MMIC (proceso GaN HEMT). Hay un método llamado cambio duro. Tanto el drenaje como la compuerta se pulsan en una función de temporización. Hace que el cambio sea mucho más rápido, pero viene con armónicos. Algunos proveedores brindan información sobre el cambio de hardware pero depende de muchas cosas en el entorno. Debe cuidar muchas cosas en el dominio del tiempo (resistencia de salida, parásitos, Cgs (Vin), corrientes de intermodulación (f), etc.).

Alper91

Aparte de eso, sobre los efectos indocumentados, puede hacerlo menos al respecto. Así es como mis enseñanzas trabajan con los mismos transistores durante más de 5 años. Porque tienen miedo de cambiar a otro. (En asuntos académicos, por supuesto). Pero si ayuda, sé que el pulso de drenaje puede crear armónicos desagradables para ciertas clases de polarización. En microondas, nada se puede modelar con circuitos analógicos equivalentes simples.

Alper91

Hice PA usando LDMOS blf2043f ptfa080551e (clase AB) y el viejo soviético kt919 (clase C). Los transistores ldmos parecían ser muy sensibles al esd en el lado de la puerta (destruyeron un par de esta manera). Por otro lado, el drenaje era muy resistente y soportaba un gran desajuste de impedancia. Puede agregar más experiencia en el mundo real si lo desea.

ivan

Respuestas:

La conmutación de drenaje es algo compleja, ya que uno debe asegurarse de que las condiciones de polarización sean estables antes de aplicar y enviar señales a la puerta. Supongo que está familiarizado con los círculos de estabilidad y similares, y ha realizado el análisis requerido para sus condiciones de operación deseadas. Tenga en cuenta que el parámetro S de señal grande de estado estable puede diferir significativamente de los parámetros S de señal grande pulsada (no es una medición fácil, por cierto), lo que puede invalidar su análisis de estabilidad inicial, pero si eso es todo lo que tiene, es un punto de partida razonable. En un momento, incluso los pequeños parámetros S de señal son mejores que nada. Los dispositivos GaN sufren más que los GaAs debido a los efectos de calentamiento interno, debido a sus geometrías más pequeñas y densidades de energía más altas: hay menos área de la parte trasera del chip para alejar el calor.

Obviamente, cuando se cambia el drenaje, se requiere cierto tiempo para que el sesgo se estabilice; esto depende del dispositivo, la relación de trabajo y la potencia.

Si su aplicación lo permite, usar la operación de clase B o C es la forma más sencilla de hacerlo, lo que evita la necesidad de cambiar el drenaje, pero generará más armónicos, lo cual es un problema a menos que tenga una carga sintonizada. También recuerde que los filtros generalmente se reflejan fuera de la potencia de la banda, lo que podría alterar su dispositivo.

Asegúrese siempre de que su dispositivo esté protegido contra la operación en un circuito abierto; una forma es usar un aislador en la salida; muchos dispositivos de alimentación se han destruido de esta manera.

No hay que esperar a ser capaz de simular el comportamiento de estos dispositivos totalmente - que va a tener que experimentar - y usted va a perder algunos dispositivos a lo largo del camino! ¡Buena suerte!

NG cerca
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