tirón hacia abajo innecesaria resistencias en BJT y FET?

Comúnmente veo resistencias débiles en la base de los transistores NPN. Muchos sitios electrónicos incluso recomiendan hacer tales cosas, generalmente especificando el valor como algo así como 10 veces la resistencia limitante de corriente base.

Los transistores bipolares funcionan con corriente, por lo que si la base se deja flotando, no veo la necesidad de tirarla a tierra.

Además, comúnmente veo resistencias limitadoras de corriente de compuerta en FET.

Son impulsados ​​por voltaje y no hay necesidad de limitar la corriente que alimenta la puerta.

¿Son estas dos situaciones ejemplos de personas que confunden las reglas entre transistores (que necesitan resistencias limitantes de base) y FET (que necesitan resistencias pull-down) o que combinan las reglas o algo así?

o me estoy perdiendo algo?

Las razones se vuelven claras cuando se considera no solo el comportamiento ideal de los transistores sino también sus elementos parásitos.

La resistencia pull-down en la base de un BJT de tipo npn ayuda a mantener la base "baja" siempre que el elemento impulsor de la resistencia base debe estar desconectado o en modo triestado. Sin esta resistencia, la carga que ingresa a la base a través de la capacitancia entre el colector y la base ("capacitancia Miller") podría permanecer allí y encender el transistor.

Hay dos razones comunes para una resistencia de compuerta en serie en un circuito MOSFET. Una es que la resistencia limita la corriente de conducción y permite cierto control de la corriente de carga de la compuerta (piense en la compuerta como un condensador que necesita ser descargado / cargado para apagar o encender el MOSFET). Con una resistencia cuidadosamente elegida, puede obtener cierto control sobre los tiempos de transición de encendido o apagado del MOSFET. A veces, incluso utiliza una resistencia en paralelo con un diodo y otra resistencia para tener diferentes corrientes de carga y descarga, es decir, una posibilidad de influir en el tiempo de encendido de una manera diferente al tiempo de apagado. La segunda razón para una resistencia base es que las inductancias de trazas alrededor del MOSFET forman un tanque LC resonante con las capacidades parásitas del MOSFET. Cuando todo lo que desea es una transición limpia del voltaje de la puerta (forma de onda rectangular), puede que suene mucho en realidad. El timbre puede ser tan severo que el MOSFET se enciende y apaga un par de veces antes de detenerse y finalmente obedece lo que el conductor solicita. Una resistencia dentro del circuito resonante LC alrededor del controlador de puerta puede amortiguar esta resonancia y la ruta entre el controlador y la puerta es el lugar más fácil para colocar la resistencia. Para circuitos de señal pequeña, estas resistencias pueden no ser necesarias, pero cuando manejas MOSFET de potencia, los necesitas absolutamente. Una resistencia dentro del circuito resonante LC alrededor del controlador de puerta puede amortiguar esta resonancia y la ruta entre el controlador y la puerta es el lugar más fácil para colocar la resistencia. Para circuitos de señal pequeña, estas resistencias pueden no ser necesarias, pero cuando manejas MOSFET de potencia, los necesitas absolutamente. Una resistencia dentro del circuito resonante LC alrededor del controlador de puerta puede amortiguar esta resonancia y la ruta entre el controlador y la puerta es el lugar más fácil para colocar la resistencia. Para circuitos de señal pequeña, estas resistencias pueden no ser necesarias, pero cuando manejas MOSFET de potencia, los necesitas absolutamente.

Una resistencia en serie en la línea de compuerta de un MOSFET protegerá al controlador (microcontrolador) de los efectos de llamada provocados por inductancias parasitarias.

El valor óptimo para Rg depende mucho de la aplicación. Desea que el MOSFET cambie lo más rápido posible para minimizar las pérdidas de conmutación, pero no tan rápido que las inductancias parásitas y las capacitancias asociadas con el diseño de la PCB y cualquier cableado a una carga causen picos o timbres de alto voltaje di / dt. que un valor optimizado de los controles Rg se enciende OK pero ralentiza demasiado el apagado, luego una solución es colocar un diodo a través de Rg con su cátodo hacia el circuito de accionamiento de la puerta. Esto evitará Rg durante el apagado, acelerando así el apagado. Colocar una resistencia en serie con el diodo le permitirá controlar el tiempo de apagado independientemente del encendido. Lecturas adicionales (para todos los aspectos del cambio de mosfet).

Para cambiar cargas pequeñas (como 100 mA), o cuando se usa un chip controlador MOSFET real, probablemente no se necesite la resistencia de compuerta.

(Nota: estos enlaces estaban en la primera página de resultados G para "resistencia de compuerta mosfet")

La resistencia en serie a la puerta MOSFET a veces se requiere para reducir un pico de corriente cuando se conmuta debido a la capacitancia de la puerta. Circuito lógico, esp. Los microcontroladores permiten solo una carga capacitiva muy baja. También se puede utilizar para reducir la velocidad de respuesta (la velocidad de conmutación).
Se utiliza un menú desplegable en la puerta para evitar que la puerta flote si la E / S de control está configurada como entrada. En este caso, el valor de la resistencia se puede elegir bastante grande (1 ~ 10M$\Omega$)

La resistencia base en el BJT a menudo se combina con un pull-up, y esta combinación se usa para establecer un punto de reposo estable . [ Nuestro profesor en la universidad, no era muy bueno en inglés y aparentemente solo había visto la palabra impresa y la pronunciaba como "keskent". Nos tomó un tiempo entender lo que quería decir :-) ]

La mayoría de los transistores tienen una pequeña cantidad de fugas en la base del colector; Si no hay ningún desplegable, esta corriente se amplificará por la ganancia del transistor. En situaciones donde las fugas no son una preocupación, la resistencia puede omitirse, pero si la corriente de fuga es una preocupación, agregar la resistencia puede reducirla.