Velocidad
Los números están en MHz y representan la frecuencia de la señal de reloj a la que opera la RAM (x2 para DDR RAM, por lo que DDR2-800 funciona a 400MHz). El DDR significa "Velocidad de datos doble", lo que significa que transfiere datos en los bordes ascendente y descendente de la señal (en lugar de solo señal activada o desactivada). Entonces, por ejemplo, DDR le da el efecto de 800MHz mientras que en realidad solo está a 400MHz. DDR2 y DDR3 son versiones superiores de la especificación DDR. (es decir: DDR3 es "tasa de datos doble tipo tres").
Sincronización
Los tiempos de memoria (o tiempos de RAM) se refieren colectivamente a un conjunto de cuatro parámetros numéricos llamados CL, tRCD, tRP y tRAS, comúnmente representados como una serie de cuatro números separados con guiones, en ese orden respectivo (por ejemplo, 5-5-5- 15). Sin embargo, no es inusual que se omita tRAS, o que se agregue un quinto valor, la tasa de Comando (de Wikipedia ).
CL (latencia CAS)
La latencia CAS es la demora, en ciclos de reloj, entre el envío de un comando READ y el momento en que el primer dato está disponible en las salidas.
LRCD
Retardo de dirección de fila a columna: tRCD es el número de ciclos de reloj tomados entre la emisión del comando activo y el comando de lectura / escritura. En este tiempo, la señal interna de la fila se asienta lo suficiente como para que el sensor de carga lo amplifique.
tRP
Tiempo de precarga de fila: tRP es el número de ciclos de reloj tomados entre la emisión del comando de precarga y el comando activo. En este momento, los amplificadores de sentido se cargan y se activa el banco.
tRAS
Tiempo activo de fila: tRAS es el número de ciclos de reloj que se toman entre un comando activo del banco y la emisión del comando de precarga.
Consulte aquí para obtener más información sobre estos y otros elementos de sincronización de RAM.
voltaje
El voltaje indicado es el voltaje mínimo / recomendado requerido para alimentar el módulo RAM. No es suficiente y no puede alimentar el módulo, demasiado y puede dañar los diversos chips en el módulo.
Kits multicanal
Estos 'kits' son simplemente múltiples módulos RAM individuales, similares (idénticos a los posibles) empaquetados juntos. La intención (en estos días) es que se usen en placas base que tengan capacidades de canal RAM doble y triple (etc.). IE: dado que necesita 2 palos para hacer doble canal, y eso se convirtió en estándar / regular para los nuevos sistemas hace un tiempo (antes del triple canal, cuádruple, etc.), los fabricantes de memoria comenzaron a comercializar sus 'kits' existentes como 'multicanal' kits '.
Anteriormente, los kits se vendían principalmente para ofrecer un pequeño descuento en el precio al comprar varios módulos (es decir: dos módulos de 1GB en un 'kit de 2GB' es más barato que comprar dos módulos individuales de 1GB del mismo modelo).
Velocidad:
La primera parte es el tipo de memoria. DDR2 es Double Data Rate 2. La segunda es la velocidad en MHz a la que opera la memoria, en general cuanto más rápido mejor (hasta cierto punto)
Sincronización:
Los números son el número de ciclos de espera que deben ocurrir entre diferentes operaciones de memoria. Más bajo es mejor ( más en profundidad ).
Voltaje:
El voltaje al que opera la memoria. En la mayoría de los casos, esto es solo para referencia, pero algunos sistemas requieren cierta memoria de voltaje. Por ejemplo, los nuevos chips Intel Core I necesitan un voltaje más bajo (1.5v iirc) que los chips Core 2 más antiguos.
Canal múltiple:
La memoria se vende ya sea por el módulo individual (stick) o en kits para placas base con múltiples canales de memoria. La mayoría de las placas actuales tienen doble con el zócalo Intel 1336 tienen triple canal. Todo lo que hace el paquete es asegurarse de que está obteniendo dos de los mismos módulos de memoria (la misma velocidad, tiempos y tamaño) que se requieren para la RAM multicanal.
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