Open Drain vs Open Collector

¿Existe una diferencia práctica entre las salidas Open Drain y Open Collector, o los términos se usan de manera intercambiable? Si son realmente diferentes, ¿cuáles son los contextos donde cada uno es ventajoso? Mi presentimiento es que son funcionalmente equivalentes, pero Open Drain se implementa con tecnología FET mientras que Open Collector se implementa con tecnología BJT.

Así es, el colector abierto es BJT, drenaje abierto (C) MOS. En los circuitos lógicos donde las corrientes son bajas, el voltaje de saturación del BJT puede ser un poco más alto que la caída de voltaje debido a para el FET, pero aún será mucho más bajo que el voltaje máximo para un bajo lógico .$R_{DS(ON)}$

Excepción: no se puede utilizar una salida de colector abierto TTL como palanca de cambio de nivel para interactuar con CMOS de muy bajo voltaje. Este inversor puede funcionar con un Vcc tan bajo como 0.8 V, y la hoja de datos proporciona un nivel bajo máximo de 0.25 Vcc, es decir 0.2 V. Un colector abierto tendrá una caída de voltaje más alta que eso. ( Este dispositivo incluso especifica un voltaje de entrada de bajo nivel máximo de 0 V, que es simplemente imposible).

nota
Además del cableado abierto (piense en I2C), el drenaje / colector abierto a menudo se usa para controlar algo que funciona a un voltaje diferente al lógico, a menudo un voltaje más alto. Con algunas familias lógicas de bajo voltaje esto ya no es posible, ya que los FET no tolerarán el alto voltaje y por esa razón algunas familias tendrán diodos de sujeción incorporados para proteger los FET de salida.